太陽能硅片刻蝕機（等離子刻蝕機）簡介：
等離子體刻蝕設備的原理是在真空狀態下，利用射頻輻射使得氧、氬、氮、四氟化碳等氣體生成具有高反應活性的離子與器件等反應形成揮發性化合物，然后由真空系統將這些揮發性物質清除出去。
等離子體刻蝕設備應用于刻蝕硅片邊沿的硅鱗層，擴散過程中，不但硅片的表面擴散上了磷，硅片邊緣也擴散上了磷，這會導致硅片正反兩極通過邊緣導通短路。所以必須將硅片邊緣這層被擴散上的硅磷去掉，大概去除1-3um。硅片在刻蝕機內水平旋轉，通入的反應氣體為四氟化碳、氧氣和氮氣。其原理是在放電狀態下反應氣體四氟化碳、氧氣和硅片邊緣的硅發生反應，反應形成粉末和氣態物質后隨氣流一起被抽走等。